L’IRT Nanoelec présent à la conférence internationale IEDM de Décembre 2017

Ce travail a été réalisé dans le cadre du programme photonique sur silicium de l’IRT. Il consiste à intégrer des sources laser hybride III-V sur silicium dans une filière photonique 200mm en utilisant des procédés compatibles CMOS.

L’objectif visé à terme est l’intégration à large échelle de tels composants via un report localisé de puce III-V sur des plaques de silicium.

Les derniers résultats, présentés à l’IEDM en décembre dernier, ont permis de valider l’essentiel des procédés de fabrication. Un laser de type DFB a ainsi entièrement été fabriqué sur plaque 200mm.

En particulier, une brique de procédés permettant d’épaissir localement le silicium pour permettre la transition optique avec le matériau III-V a été introduite rendant l’intégration du laser modulaire et intégrable sur n’importe quelle filière photonique mature.

L’utilisation de métallisation compatible CMOS, à base de Ni et Ni2P, pour les contacts électriques sur n-InP et P-InGaAs a été également démontrée.

Au final le laser présenté délivre une puissance optique de l’ordre de 4mW avec un SMSR de 50dB. Des travaux complémentaires sont en cours pour améliorer et stabiliser les procédés, de nouvelles conceptions de laser, prenant en compte les spécificités de du procédé d’intégration, sont également en évaluation.