Bright field TEM cross section of the TiN (7 nm) / Ti (20nm)/ InGaAs/InP system in the as-deposited state
S. Bensalem et al. publient dans Materials Science in Semiconductor Processing une étude sur des réactions à l’interface de dépôts de titane sur des couches InGaAs. Le développement de la technologie CMOS avec des matériaux III – V à base de Ti pour des applications électroniques ou photoniques a été étudié dans le cadre de Nanoelec par des scientifiques du CEA-Leti, de STMicroelectronics et de l’Académie hongroise des sciences pour la recherche énergétique. « Nous avons étudié les réactions à l’état solide entre des couches minces de Ti (20 nm) et des couches de InGaAs déposées sur des substrats InP depuis l’état initial de dépôt jusqu’à des recuits à 550°C en utilisant la diffraction de rayons X combinée à la spectroscopie électronique Auger et à la microscopie électronique à transmission », souligne Philippe Rodriguez, auteur correspondant de l’article.
« La nature des phases formées au-dessus et au-dessous de l’interface Ti/InGaAs d’origine pourrait expliquer l’accumulation d’In à l’interface, la phase TiAs agissant comme une barrière de diffusion. La connaissance précise et complète des phases en présence et de leur localisation spatiale est essentielle pour comprendre et adapter les propriétés électriques des contacts à base de Ti sur InGaAs. Il est également important d’anticiper et de contrôler l’impact de l’ensemble des opérations de traitement en termes de budget thermique supplémentaire par exemple. »