10/04/2020 - Un nouveau contexte pour le programme POWERGAN de l’institut

STMicroelectronics, partenaire majeur de l’IRT Nanoelec, participe au programme POWERGAN de l’institut, pour développer une technologie disruptive en nitrure de gallium (GaN) sur plaques silicium de 200 mm pour les applications d’électronique de puissance. Cette technologie sera transférée sur une ligne pilote dans son site de fabrication de Tours – France. Pour cet acteur mondial de l’électronique, il s’agit d’un élément clé constitutif de son écosystème autour des composants de commutation de puissance, tout comme les récentes annonces le rapprochant de TSMC et d’Exagan. Mise en contexte, avec Filippo Di Giovanni, directeur du marketing stratégique, de l’innovation et des programmes clés dans la Direction Transistors de puissance de STMicroelectronics à Catane – Italie.

Comment se positionne STMicroelectronics sur les dispositifs de commutation de puissance ?

Nous estimons que les opportunités de croissance sont nombreuses sur les marchés des composants de puissance à base de matériaux à large bande interdite en carbure de silicium (SiC) comme en GaN et nous investissons afin de bâtir des chaînes d’approvisionnement solides et fiables qui garantissent que ST sera un leader mondial dans les deux technologies. L’écosystème que nous construisons a pour but de répondre aux besoins spécifiques des principaux domaines d’applications du marché de l’électronique de puissance avec les technologies appropriées, comme schématisé ci-dessous. La technologie GaN sur silicium de ST est idéale pour les applications à haute efficacité et haute puissance, notamment les chargeurs embarqués automobiles, les convertisseurs DC-DC pour les véhicules hybrides et électriques, la recharge sans fil et les serveurs informatiques.

Le mois dernier, STMicroelectronics a annoncé un accord avec TSMC, l’un des grands fondeurs mondiaux, et aussi l’acquisition de la startup française Exagan. Quelle est votre nouvelle feuille de route sur les technologies GaN ?

Notre objectif avec le GaN est de reproduire le succès que nous avons connu avec le SiC, en acquérant rapidement une position de leader. Nous sommes fermement convaincus que cette technologie sera omniprésente dans nos domaines d’activités stratégiques, en particulier dans la gestion de l’énergie (industriel et automobile). C’est pourquoi nous ajustons notre plateforme technologique et notre stratégie de fabrication.

La collaboration avec l’IRT Nanoelec est un élément clé de notre stratégie de développement d’une plate-forme technologique 200 mm en GaN de puissance. Notre ligne pilote sur le site de production de Tours, en France sera la colonne vertébrale du développement d’une gamme complète de produits.

En parallèle, nous travaillons avec TSMC et Exagan pour accélérer l’adoption à grande échelle de la technologie GaN par les marchés à croissance rapide.

L’acquisition de l’entreprise innovante Exagan nous apporte une expertise plus large en épitaxie, des compétences additionnelles en développement de produits et une bonne connaissance des applications. Exagan poursuivra sa feuille de route produit, ST lui apportant son appui dans le déploiement.

Ces nouvelles offres changeront-elles votre feuille de route sur le programme POWERGAN de l’IRT Nanoelec ?

Non, aucun changement pour notre participation dans le cadre du programme POWERGAN de l’institut. Nous poursuivons la collaboration fructueuse qui nous conduit vers des prochaines générations de composants de puissance en GaN. Les développements en cours, sur des plaques de 200 mm, de transistors 650V avancés et de diodes Schottky basés sur l’approche MIS Gate Recess, sont prometteurs. Les premiers essais attestent la faisabilité d’un transfert vers notre ligne pilote de Tours à partir de 2021. A la lumière de notre expérience sur les composants de puissance silicium ou SiC, nous savons que les composants de puissance GaN s’amélioreront considérablement dans l’avenir. Nous soutenons donc fortement la feuille de route de POWERGAN. Ce programme de l’IRT Nanoelec rassemble l’expertise industrielle et académique multidisciplinaire requise pour amener les dispositifs vers les limites théoriques du matériau GaN tout en concevant en même temps des fonctions « intelligentes » supplémentaires et à forte valeur ajoutée pour les utilisateurs finaux.